SI7848BDP-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
SI7848BDP-T1-GE3-HXY
SI7848BDP-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOS管， 采用紧凑型DFN5X6-8L封装。 其拥有40V的额定漏源电压VDSS和高达60A的连续漏极电流ID， 展现出卓越的电力处理能力。 导通电阻仅为6.9mΩ， 有效降低功耗并提高系统能效， 适用于各类高功率电子设备和电源管理应用， 是您设计中的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8(5x6)
库存
103
货期
现货
SI7848BDP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 103 |
SI7848BDP-T1-GE3-HXY概述
SI7848BDP-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOS管， 采用紧凑型DFN5X6-8L封装。 其拥有40V的额定漏源电压VDSS和高达60A的连续漏极电流ID， 展现出卓越的电力处理能力。 导通电阻仅为6.9mΩ， 有效降低功耗并提高系统能效， 适用于各类高功率电子设备和电源管理应用， 是您设计中的理想选择。
SI7848BDP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI7848BDP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。