SI7812DN-VB
IC
QFN-8L(3x3)
可供量大可议
SI7812DN-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路N沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于各种应用场景。 QFN8(3X3)； N—Channel沟道, 100V； 35.3A； RDS(ON)=17.4mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
QFN-8L(3x3)
库存
48
货期
现货
SI7812DN-VB参数
| 封装 | QFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
SI7812DN-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路N沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于各种应用场景。 QFN8(3X3)； N—Channel沟道, 100V； 35.3A； RDS(ON)=17.4mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
SI7812DN-VB特性
暂无产品特性。
SI7812DN-VB应用领域
暂无应用领域。