SI7806ADN-T1-GE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至9mΩ。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及开关转换等场景。 器件采用标准封装， 便于集成于各类高频率、高效率的电子电路中， 满足紧凑型设计对空间与性能的双重需求。