SI7806ADN-T1-E3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为9毫欧。 器件在中等电流水平下提供较低的导通损耗， 适用于对效率和热性能有一定要求的电源开关电路。 其电气特性适合用于直流-直流转换器、便携式设备供电系统以及各类需要稳定功率控制的电子装置中， 具备良好的开关响应与可靠性。