SI7804DN-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SI7804DN-T1-GE3-HXY
这款N沟道场效应管专为高效电源管理设计, 具备30V耐压与20A连续电流处理能力。 其核心优势在于极低的15mΩ导通电阻, 能显著降低回路损耗与发热, 配合±20V的宽栅极电压范围, 确保了在复杂电路中的驱动稳定性。 该器件非常适合应用于锂电池保护板、便携式设备的快充方案以及LED恒流驱动电路, 在负载开关场景中也能提供可靠的通断控制, 是低压大电流路径管理的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
48
货期
现货
SI7804DN-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
SI7804DN-T1-GE3-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高效电源管理设计, 具备30V耐压与20A连续电流处理能力。 其核心优势在于极低的15mΩ导通电阻, 能显著降低回路损耗与发热, 配合±20V的宽栅极电压范围, 确保了在复杂电路中的驱动稳定性。 该器件非常适合应用于锂电池保护板、便携式设备的快充方案以及LED恒流驱动电路, 在负载开关场景中也能提供可靠的通断控制, 是低压大电流路径管理的理想选择。
SI7804DN-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI7804DN-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。
