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SI7804DN-T1-E3-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

SI7804DN-T1-E3-HXY

这款N沟道场效应管专为低压大电流场景设计, 具备30V耐压与20A连续电流处理能力。 其15mΩ的极低导通电阻能显著降低回路损耗, 配合±20V的栅极驱动范围, 确保了开关动作的精准与稳定。 该器件非常适合应用于锂电池保护板、便携式设备的快充方案以及LED恒流驱动电路, 在负载开关场景中也能提供可靠的通断控制, 是低压电源路径管理的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

48

货期

现货

SI7804DN-T1-E3-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

SI7804DN-T1-E3-HXY概述

这款N沟道场效应管专为低压大电流场景设计, 具备30V耐压与20A连续电流处理能力。 其15mΩ的极低导通电阻能显著降低回路损耗, 配合±20V的栅极驱动范围, 确保了开关动作的精准与稳定。 该器件非常适合应用于锂电池保护板、便携式设备的快充方案以及LED恒流驱动电路, 在负载开关场景中也能提供可靠的通断控制, 是低压电源路径管理的理想选择。

SI7804DN-T1-E3-HXY特性

暂无产品特性。

SI7804DN-T1-E3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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