SI7792DP-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SI7792DP-T1-GE3-HXY
该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）， 连续漏极电流（ID）高达150A， 导通电阻（RDS(ON)）仅为1.4毫欧， 栅源电压（VGS）最大额定值为20V。 其极低的导通电阻有效降低导通损耗， 适用于大电流电源管理、高效率DC-DC转换器以及对热性能和能效要求严苛的电子系统。 器件支持快速开关动作， 在高频工作条件下仍能保持良好性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
65
货期
现货
SI7792DP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 65 |
SI7792DP-T1-GE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）， 连续漏极电流（ID）高达150A， 导通电阻（RDS(ON)）仅为1.4毫欧， 栅源电压（VGS）最大额定值为20V。 其极低的导通电阻有效降低导通损耗， 适用于大电流电源管理、高效率DC-DC转换器以及对热性能和能效要求严苛的电子系统。 器件支持快速开关动作， 在高频工作条件下仍能保持良好性能。
SI7792DP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI7792DP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。