SI7784DP-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SI7784DP-T1-GE3-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为4.7毫欧， 栅源电压（VGS）额定值为20V。 其低导通电阻有助于在大电流应用中有效抑制功率损耗和温升， 适用于高效率直流开关电路、同步整流结构以及对热性能要求较高的电源管理模块， 能够支持紧凑型高功率密度设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
SI7784DP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
SI7784DP-T1-GE3-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为4.7毫欧， 栅源电压（VGS）额定值为20V。 其低导通电阻有助于在大电流应用中有效抑制功率损耗和温升， 适用于高效率直流开关电路、同步整流结构以及对热性能要求较高的电源管理模块， 能够支持紧凑型高功率密度设计。
SI7784DP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI7784DP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。