SI7748DP-T1-GE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备90A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5毫欧， 栅源驱动电压（VGS）额定值为20V。 其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗， 在高电流工作条件下维持较低温升。 适用于对效率和热管理要求较高的直流开关电路、电源转换模块以及大电流负载控制等场合， 能够有效支持高功率密度设计需求。