SI7726DN-T1-GE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 较低的导通电阻有助于在高电流工作条件下减少功率损耗， 提升整体能效。 器件适用于需要高效开关性能的电源转换、负载开关及电机控制等应用， 能够在频繁启停或持续导通状态下保持良好的热稳定性和可靠性。