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SI7716ADN-T1-GE3
Available可供
IC

PowerPAK1212-8

SI7716ADN-T1-GE3

场效应管(MOSFET) 3.5W; 27.7W 30V 16A 1个N沟道

Brand

VISHAY

Package

PowerPAK1212-8

交期

现货

Date Code

两年内

SI7716ADN-T1-GE3Parameters

封装PowerPAK1212-8
品牌VISHAY(威世)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))13.5mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2.5V
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存8,700
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)3.5W; 27.7W
输入电容(Ciss)846pF

SI7716ADN-T1-GE3概述

场效应管(MOSFET) 3.5W; 27.7W 30V 16A 1个N沟道

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