SI7655DN-T1-GE3
IC
SMD
可供量大可议
SI7655DN-T1-GE3
特性：TrenchFET功率MOSFET。 低热阻。 采用小尺寸和0.75mm低外形的PowerPAK封装。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：智能手机。 平板电脑
品牌
VISHAY
封装
SMD
库存
2,743
货期
现货
SI7655DN-T1-GE3参数
| 封装 | SMD |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2743 |
SI7655DN-T1-GE3概述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 低热阻。 采用小尺寸和0.75mm低外形的PowerPAK封装。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：智能手机。 平板电脑
SI7655DN-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI7655DN-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。