SI7636DP-T1-E3
自营可供
IC
PowerPAKSO-8
SI7636DP-T1-E3
SI7636DP-T1-E3
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSO-8
交期
现货
批次
—
SI7636DP-T1-E3参数
| 封装 | PowerPAKSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 5.6nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 860pF |
| 商品名称 | SI7636DP-T1-E3 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC |
| 反向传输电容(Crss) | 415pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | SI7636DP-T1-E3 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000321739 |
SI7636DP-T1-E3概述
SI7636DP-T1-E3
SI7636DP-T1-E3特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 采用高密度 TrenchFET 第二代功率 MOSFET 技术, 实现超低导通电阻
- Qg 优化
- 新型低热阻 PowerPAK 封装, 高度仅 1.07 mm
- 100% 进行 Rg 测试
SI7636DP-T1-E3应用领域
- 低端 DC/DC 转换
- 笔记本电脑
- 服务器
- 工作站
- 同步整流器、负载点电源