SI7634BDP-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SI7634BDP-T1-GE3-HXY
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 在导通状态下其导通电阻低至4.7毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 器件采用标准结构设计， 适用于对效率和热性能要求较高的功率开关场景， 如电源管理、电机驱动及各类高频转换电路。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体能效， 同时高电流承载能力确保在大负载条件下仍能稳定工作。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
39
货期
现货
SI7634BDP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 39 |
SI7634BDP-T1-GE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 在导通状态下其导通电阻低至4.7毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 器件采用标准结构设计， 适用于对效率和热性能要求较高的功率开关场景， 如电源管理、电机驱动及各类高频转换电路。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体能效， 同时高电流承载能力确保在大负载条件下仍能稳定工作。
SI7634BDP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI7634BDP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。