SI7634BDP-T1-E3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SI7634BDP-T1-E3-HXY
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 在导通状态下漏源电阻仅为4.7毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 其低导通电阻有助于降低功耗与温升， 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。 器件结构支持快速开关特性， 配合合适的驱动电路可有效提升系统整体响应速度与能效表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
91
货期
现货
SI7634BDP-T1-E3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 91 |
SI7634BDP-T1-E3-HXY概述
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 在导通状态下漏源电阻仅为4.7毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 其低导通电阻有助于降低功耗与温升， 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。 器件结构支持快速开关特性， 配合合适的驱动电路可有效提升系统整体响应速度与能效表现。
SI7634BDP-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SI7634BDP-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。