SI7619DN-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SI7619DN-T1-GE3-HXY
SI7619DN-T1-GE3 是一款高效的P沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN3X3-8L封装， 旨在优化空间受限的设计。 器件具有30V的电压额定值VDSS， 可承载高达25A的连续漏极电流ID， 展示了卓越的电力处理性能。 其特色在于拥有低至16mΩ的导通电阻RD(on)， 有效降低功率损耗， 提高能源效率。 广泛应用在电源转换、电池管理系统、大型电机驱动等领域， SI7619DN-T1-GE3 MOS管是您追求高性能与节能设计的理想伙伴。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
1
货期
现货
SI7619DN-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
SI7619DN-T1-GE3-HXY概述
SI7619DN-T1-GE3 是一款高效的P沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN3X3-8L封装， 旨在优化空间受限的设计。 器件具有30V的电压额定值VDSS， 可承载高达25A的连续漏极电流ID， 展示了卓越的电力处理性能。 其特色在于拥有低至16mΩ的导通电阻RD(on)， 有效降低功率损耗， 提高能源效率。 广泛应用在电源转换、电池管理系统、大型电机驱动等领域， SI7619DN-T1-GE3 MOS管是您追求高性能与节能设计的理想伙伴。
SI7619DN-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI7619DN-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。