SI7617DN-T1-GE3-MS
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SI7617DN-T1-GE3-MS
此款SI7617DN-T1-GE3-MS场效应管， 它的主要参数包括：漏极电流ID为32A， 漏源击穿电压VDSS为30V， 导通电阻RDON低至10mΩ。 该器件具备较高的电流承载能力和较低的导通损耗， 适用于多种功率开关和控制场景。 其P沟道结构适合用于电源侧开关或负载切换应用， 可有效提升系统效率与稳定性。 典型应用场景包括便携式电源设备、消费类电子产品中的DC-DC转换模块、电池充放电管理电路以及各类中功率开关控制单元。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(3x3)
库存
755
货期
现货
SI7617DN-T1-GE3-MS参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 755 |
SI7617DN-T1-GE3-MS概述
此款SI7617DN-T1-GE3-MS场效应管， 它的主要参数包括：漏极电流ID为32A， 漏源击穿电压VDSS为30V， 导通电阻RDON低至10mΩ。 该器件具备较高的电流承载能力和较低的导通损耗， 适用于多种功率开关和控制场景。 其P沟道结构适合用于电源侧开关或负载切换应用， 可有效提升系统效率与稳定性。 典型应用场景包括便携式电源设备、消费类电子产品中的DC-DC转换模块、电池充放电管理电路以及各类中功率开关控制单元。
SI7617DN-T1-GE3-MS特性
暂无产品特性。
SI7617DN-T1-GE3-MS应用领域
暂无应用领域。