SI7617DN-T1-GE3
IC
可供量大可议
SI7617DN-T1-GE3
3.7W(Ta)， 52W(Tc) 25V 2.5V@ 250µA 59nC@ 10 V 1个P沟道 30V 12.3mΩ@ 13.9A, 10V 35A 1.8nF@15V DFN-33 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
品牌
VISHAY
封装
库存
35
货期
现货
SI7617DN-T1-GE3参数
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 35 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 品牌 | VISHAY/威世 |
|---|---|
| 批次 | 2603+ |
SI7617DN-T1-GE3概述
3.7W(Ta)， 52W(Tc) 25V 2.5V@ 250µA 59nC@ 10 V 1个P沟道 30V 12.3mΩ@ 13.9A, 10V 35A 1.8nF@15V DFN-33 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
SI7617DN-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI7617DN-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。