SI7615CDN-T1-GE3-MS
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SI7615CDN-T1-GE3-MS
此款SI7615CDN-T1-GE3-MS场效应管为P沟道， 采用DFN3X3-8L 紧凑型封装， 既能优化电路布局， 又能强化散热性能； 20V VDSS、48A 连续 ID 保障大电流环境下稳定运行， 7.5mΩ 低 RD (on) 有效减少能量损耗、提升系统效率。 器件适配电源转换、电源开关、电池管理等高能效需求场景， 是现代高效电子设备的优选MOSFET元件。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(3x3)
库存
925
货期
现货
SI7615CDN-T1-GE3-MS参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 925 |
SI7615CDN-T1-GE3-MS概述
此款SI7615CDN-T1-GE3-MS场效应管为P沟道， 采用DFN3X3-8L 紧凑型封装， 既能优化电路布局， 又能强化散热性能； 20V VDSS、48A 连续 ID 保障大电流环境下稳定运行， 7.5mΩ 低 RD (on) 有效减少能量损耗、提升系统效率。 器件适配电源转换、电源开关、电池管理等高能效需求场景， 是现代高效电子设备的优选MOSFET元件。
SI7615CDN-T1-GE3-MS特性
暂无产品特性。
SI7615CDN-T1-GE3-MS应用领域
暂无应用领域。