SI7615CDN-T1-GE3-HXY

SI7615CDN-T1-GE3 P沟道MOS管， 采用紧凑型DFN3X3-8L封装设计， 旨在优化电路布局并增强散热性能。 器件具备20V的额定电压VDSS和高达48A的连续漏极电流ID， 确保在大电流环境下的稳定运作。 其导通电阻RD(on)低至7.5mΩ， 有效降低传导损耗， 提升整体工作效率， 特别适用于电源转换、电池管理系统等对能效要求高的场景。 SI7615CDN-T1-GE3 MOS管， 凭借其出色的电流承载能力和低阻特性， 成为现代高效能电子设备的优选半导体元件。