SI7495DP-VB
IC
DFN5x6-8
可供量大可议
SI7495DP-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路P型MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中， 为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。 DFN8(5X6)； P—Channel沟道, -30V； -120A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
品牌
VBsemi
封装
DFN5x6-8
库存
50
货期
现货
SI7495DP-VB参数
| 封装 | DFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V； 78nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 1.215nF |
| 类型 | P沟道 |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:30V 电流:100A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V； 6mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 7.05nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 1.375nF |
| 商品型号 | SI7495DP-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000245 |
SI7495DP-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路P型MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中， 为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。 DFN8(5X6)； P—Channel沟道, -30V； -120A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
SI7495DP-VB特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准
SI7495DP-VB应用领域
- 笔记本电脑
- 负载开关
- P沟道MOSFET