SI7489DP-T1-GE3-VB
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
SI7489DP-T1-GE3-VB
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(5X6)； P—Channel沟道, -100V； -28A； RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1.8~-3V； 是一款一款单P通道沟道场效应管， 采用Trench技术， 适用于多种电子领域和模块。
品牌
VBsemi
封装
DFN-8(5x6)
库存
8
货期
现货
SI7489DP-T1-GE3-VB参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
SI7489DP-T1-GE3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(5X6)； P—Channel沟道, -100V； -28A； RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1.8~-3V； 是一款一款单P通道沟道场效应管， 采用Trench技术， 适用于多种电子领域和模块。
SI7489DP-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SI7489DP-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。