SI7461DP-T1-GE3-VB
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
SI7461DP-T1-GE3-VB
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(5X6)； P—Channel沟道, -60V； -60A； RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=-1.5~-3.5V； 是一款单PMOSFET器件， 采用Trench技术， 广泛应用于各种电子领域和应用中。
品牌
VBsemi
封装
DFN-8(5x6)
库存
1
货期
现货
SI7461DP-T1-GE3-VB参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
SI7461DP-T1-GE3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(5X6)； P—Channel沟道, -60V； -60A； RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=-1.5~-3.5V； 是一款单PMOSFET器件， 采用Trench技术， 广泛应用于各种电子领域和应用中。
SI7461DP-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SI7461DP-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。