SI7460DP-T1-GE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）额定漏极电流（ID）为65A， 漏源电压（VDSS）为60V， 导通电阻（RDS(ON)）为8毫欧， 栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。 器件在中高电流条件下具备良好的导通特性与开关性能， 适用于电源管理、电机控制、电池保护及各类高效能开关电路。 其较低的导通电阻有助于降低功耗， 提升系统热稳定性， 同时兼容标准逻辑电平驱动， 便于集成于多种电子系统中。