SI7460DP-T1-E3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备65A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为8毫欧， 最大栅源电压（VGS）为20V。 器件在高电流工作条件下仍能维持较低的导通压降， 适用于电源管理、电机控制及高频开关等应用场景。 其低导通电阻有助于降低功耗与温升， 提升系统运行效率， 同时支持快速开关特性， 适合对体积与热性能有较高要求的电子设备。