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SI7456DP-T1-GE3
IC

PowerPAK-SO-8

可供量大可议

SI7456DP-T1-GE3

特性:无卤, 符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。 新型低热阻 PowerPAK 封装, 高度仅 1.07 mm。 PWM 优化, 实现快速开关。 100% 进行 Rg 测试。 应用:高密度 DC/DC 初级侧开关。 电信/服务器 48 V 全/半桥 DC/DC

品牌

VISHAY

封装

PowerPAK-SO-8

库存

2,422

货期

现货

SI7456DP-T1-GE3参数

封装PowerPAK-SO-8
品牌VISHAY(威世)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2422

SI7456DP-T1-GE3概述

特性:无卤, 符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。 新型低热阻 PowerPAK 封装, 高度仅 1.07 mm。 PWM 优化, 实现快速开关。 100% 进行 Rg 测试。 应用:高密度 DC/DC 初级侧开关。 电信/服务器 48 V 全/半桥 DC/DC

SI7456DP-T1-GE3特性

暂无产品特性。

SI7456DP-T1-GE3应用领域

暂无应用领域。

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