SI7446BDP-T1-GE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的栅源电压（VGS）额定值。 其低导通电阻有助于显著降低导通损耗， 提升系统效率， 同时支持高电流密度工作。 适用于对开关速度和热性能有较高要求的电源管理、直流-直流转换及大电流负载控制等电子电路， 在实际运行中可保持良好的稳定性和可靠性。