SI7440DP-T1-GE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至5.7毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 在高电流应用场景中表现出良好的热稳定性与电气性能。 适用于对功率密度和能效有较高要求的电源管理、电机驱动及各类开关电路中， 能够可靠支持频繁开关操作与大电流传输需求。