SI7440DP-T1-E3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SI7440DP-T1-E3-HXY
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及5.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其低导通电阻可有效降低导通状态下的功率损耗， 适用于高效率、大电流的开关应用场景。 典型用途包括直流电源管理、电机控制、电池充放电电路及各类需要低损耗功率开关的电子系统， 能够在频繁开关和持续负载条件下保持稳定性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
99
货期
现货
SI7440DP-T1-E3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
SI7440DP-T1-E3-HXY概述
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及5.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其低导通电阻可有效降低导通状态下的功率损耗， 适用于高效率、大电流的开关应用场景。 典型用途包括直流电源管理、电机控制、电池充放电电路及各类需要低损耗功率开关的电子系统， 能够在频繁开关和持续负载条件下保持稳定性能。
SI7440DP-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SI7440DP-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。