SI7423DN-T1-E3-HXY
IC
DFN3x3-8L
可供量大可议
SI7423DN-T1-E3-HXY
为您精选SI7423DN-T1-E3 P沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN3X3-8L封装， 专为现代高性能电子设备设计， 力求空间利用率和热性能的最佳平衡。 本器件关键特性包括最高击穿电压VDSS达到30V， 可稳定承载40A连续电流， 尤其突出的是仅有13mΩ的超低导通电阻， 确保高效能、低功耗运行。 广泛应用于电源转换、马达驱动以及各种电流控制场合， 助您轻松实现电路设计优化与性能升级。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN3x3-8L
库存
70
货期
现货
SI7423DN-T1-E3-HXY参数
| 封装 | DFN3x3-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 70 |
SI7423DN-T1-E3-HXY概述
为您精选SI7423DN-T1-E3 P沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN3X3-8L封装， 专为现代高性能电子设备设计， 力求空间利用率和热性能的最佳平衡。 本器件关键特性包括最高击穿电压VDSS达到30V， 可稳定承载40A连续电流， 尤其突出的是仅有13mΩ的超低导通电阻， 确保高效能、低功耗运行。 广泛应用于电源转换、马达驱动以及各种电流控制场合， 助您轻松实现电路设计优化与性能升级。
SI7423DN-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SI7423DN-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。