SI7415DN-T1-GE3-HXY
IC
DFN3X3-8L
可供量大可议
SI7415DN-T1-GE3-HXY
SI7415DN-T1-GE3 是一款采用先进DFN3X3-8L封装技术的P沟道MOS管， 以其紧凑结构和优良性能脱颖而出。 其具备60V的高额定漏源电压VDSS， 可承载20A连续电流ID， 适合于高压应用环境。 同时， 导通电阻RD(on)仅为55mR， 有效降低功率损耗， 提高整体能效。 这款MOS管广泛应用在电源转换、负载开关、电池管理系统等领域， 是追求高效、节能电路设计的理想元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN3X3-8L
库存
27
货期
现货
SI7415DN-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN3X3-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 27 |
SI7415DN-T1-GE3-HXY概述
SI7415DN-T1-GE3 是一款采用先进DFN3X3-8L封装技术的P沟道MOS管， 以其紧凑结构和优良性能脱颖而出。 其具备60V的高额定漏源电压VDSS， 可承载20A连续电流ID， 适合于高压应用环境。 同时， 导通电阻RD(on)仅为55mR， 有效降低功率损耗， 提高整体能效。 这款MOS管广泛应用在电源转换、负载开关、电池管理系统等领域， 是追求高效、节能电路设计的理想元件。
SI7415DN-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI7415DN-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。