SI7403BDN-T1-GE3-VB
IC
DFN3x3-8
可供量大可议
SI7403BDN-T1-GE3-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路P沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 能够满足不同应用场景下的功率管理和电路控制需求。 QFN8(3X3)； P—Channel沟道, -12V； -25A； RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V, VGS=8V； Vth=-0.5~-1.5V
品牌
VBsemi
封装
DFN3x3-8
库存
10
货期
现货
SI7403BDN-T1-GE3-VB参数
| 封装 | DFN3x3-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SI7403BDN-T1-GE3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路P沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 能够满足不同应用场景下的功率管理和电路控制需求。 QFN8(3X3)； P—Channel沟道, -12V； -25A； RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V, VGS=8V； Vth=-0.5~-1.5V
SI7403BDN-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SI7403BDN-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。