SI7388DP-T1-GE3-HXY

该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为5.7毫欧。 低导通电阻有助于在高电流工作条件下显著降低功率损耗与温升， 提升系统效率。 器件适用于对能效和热性能要求较高的中低电压开关应用， 例如电源转换、电机驱动、电池管理系统及各类电子负载控制电路， 能够可靠支持频繁开关操作与持续大电流传输。