SI7388DP-T1-E3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至5.7毫欧。 器件采用标准封装结构， 适用于对导通损耗和效率要求较高的电源管理场景。 其低导通电阻有助于减少发热， 提升系统整体能效， 适合用于各类中低电压开关电路中， 如直流-直流转换器、负载开关及电池供电设备中的功率控制模块。