SI7386DP-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SI7386DP-T1-GE3-HXY
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至5.7毫欧。 其低RDS(ON)有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 在高电流开关应用中表现出良好的热稳定性和可靠性。 适用于对功率密度和能效有较高要求的电源管理、电机驱动及各类电子负载控制场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
93
货期
现货
SI7386DP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 93 |
SI7386DP-T1-GE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至5.7毫欧。 其低RDS(ON)有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 在高电流开关应用中表现出良好的热稳定性和可靠性。 适用于对功率密度和能效有较高要求的电源管理、电机驱动及各类电子负载控制场景。
SI7386DP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI7386DP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。