SI7374DP-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SI7374DP-T1-GE3-HXY
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）能力， 最大漏源电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）低至4.7毫欧， 在栅源电压（VGS）最高达20V时仍能稳定工作。 其低导通电阻有助于减少功率损耗和温升， 适合用于高效率电源模块、电池供电设备、电机驱动及高频开关电路等场合， 能够有效支持大电流负载下的可靠运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
SI7374DP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
SI7374DP-T1-GE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）能力， 最大漏源电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）低至4.7毫欧， 在栅源电压（VGS）最高达20V时仍能稳定工作。 其低导通电阻有助于减少功率损耗和温升， 适合用于高效率电源模块、电池供电设备、电机驱动及高频开关电路等场合， 能够有效支持大电流负载下的可靠运行。
SI7374DP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI7374DP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。