SI7374DP-T1-E3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SI7374DP-T1-E3-HXY
该N沟道MOSFET的漏极连续电流（ID）为80A， 漏源击穿电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）典型值为4.7毫欧， 最大栅源电压（VGS）为20V。 器件在高电流条件下仍能维持较低的导通损耗， 适用于电源转换、电池管理系统、电动工具及各类高效率开关电路中， 其低阻抗特性有助于提升系统能效并减少发热。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
99
货期
现货
SI7374DP-T1-E3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
SI7374DP-T1-E3-HXY概述
该N沟道MOSFET的漏极连续电流（ID）为80A， 漏源击穿电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）典型值为4.7毫欧， 最大栅源电压（VGS）为20V。 器件在高电流条件下仍能维持较低的导通损耗， 适用于电源转换、电池管理系统、电动工具及各类高效率开关电路中， 其低阻抗特性有助于提升系统能效并减少发热。
SI7374DP-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SI7374DP-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。