SI7336ADP-T1-GE3-MS
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SI7336ADP-T1-GE3-MS
此款SI7336ADP-T1-GE3-MS是一款N沟道MOS管， 采用DFN5X6-8L封装， 适应现代电子产品的小型化设计需求。 该器件在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定运行， 可处理高达150A的连续漏极电流(ID)， 展现强大的电流承载能力。 其独特优势在于仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))， 有效降低功率损耗， 提高系统能效， 广泛应用于电源转换、电机驱动、新能源系统等高功率场合， 是您实现高效、节能电路设计的理想半导体组件。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(5x6)
库存
498
货期
现货
SI7336ADP-T1-GE3-MS参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 498 |
SI7336ADP-T1-GE3-MS概述
此款SI7336ADP-T1-GE3-MS是一款N沟道MOS管， 采用DFN5X6-8L封装， 适应现代电子产品的小型化设计需求。 该器件在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定运行， 可处理高达150A的连续漏极电流(ID)， 展现强大的电流承载能力。 其独特优势在于仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))， 有效降低功率损耗， 提高系统能效， 广泛应用于电源转换、电机驱动、新能源系统等高功率场合， 是您实现高效、节能电路设计的理想半导体组件。
SI7336ADP-T1-GE3-MS特性
暂无产品特性。
SI7336ADP-T1-GE3-MS应用领域
暂无应用领域。