SI7336ADP-T1-E3-MS
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SI7336ADP-T1-E3-MS
此款SI7336ADP-T1-E3-MS是一款N沟道MOS管， 采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 专为现代高集成度电子产品设计。 器件在30V的最大漏源电压(VDSS)下运行， 可承载高达150A的连续漏极电流(ID)， 彰显其卓越的电力处理性能。 导通电阻(RD(on))低至2mΩ， 显著减少功率损耗， 提升电路效率， 广泛应用于电源转换、电机驱动等高功率场景， 是您实现高效节能电路的理想半导体元件选择。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(5x6)
库存
452
货期
现货
SI7336ADP-T1-E3-MS参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 452 |
SI7336ADP-T1-E3-MS概述
此款SI7336ADP-T1-E3-MS是一款N沟道MOS管， 采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 专为现代高集成度电子产品设计。 器件在30V的最大漏源电压(VDSS)下运行， 可承载高达150A的连续漏极电流(ID)， 彰显其卓越的电力处理性能。 导通电阻(RD(on))低至2mΩ， 显著减少功率损耗， 提升电路效率， 广泛应用于电源转换、电机驱动等高功率场景， 是您实现高效节能电路的理想半导体元件选择。
SI7336ADP-T1-E3-MS特性
暂无产品特性。
SI7336ADP-T1-E3-MS应用领域
暂无应用领域。