SI7336ADP-T1-E3-HXY
IC
DFN5x6-8L
可供量大可议
SI7336ADP-T1-E3-HXY
SI7336ADP-T1-E3 是一款N沟道MOS管， 采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 专为现代高集成度电子产品设计。 器件在30V的最大漏源电压(VDSS)下运行， 可承载高达150A的连续漏极电流(ID)， 彰显其卓越的电力处理性能。 导通电阻(RD(on))低至2mΩ， 显著减少功率损耗， 提升电路效率， 广泛应用于电源转换、电机驱动等高功率场景， 是您实现高效节能电路的理想半导体元件选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN5x6-8L
库存
42
货期
现货
SI7336ADP-T1-E3-HXY参数
| 封装 | DFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 42 |
SI7336ADP-T1-E3-HXY概述
SI7336ADP-T1-E3 是一款N沟道MOS管， 采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 专为现代高集成度电子产品设计。 器件在30V的最大漏源电压(VDSS)下运行， 可承载高达150A的连续漏极电流(ID)， 彰显其卓越的电力处理性能。 导通电阻(RD(on))低至2mΩ， 显著减少功率损耗， 提升电路效率， 广泛应用于电源转换、电机驱动等高功率场景， 是您实现高效节能电路的理想半导体元件选择。
SI7336ADP-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SI7336ADP-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。