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SI7326DN-T1-GE3
自营可供
IC

PowerPAK1212-8

SI7326DN-T1-GE3

场效应管(MOSFET) 1.5W 30V 6.5A 1个N沟道

品牌

VISHAY

封装

PowerPAK1212-8

交期

现货

批次

五年外

SI7326DN-T1-GE3参数

封装PowerPAK1212-8
品牌VISHAY(威世)
批次五年外
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))19.5mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.8V
工作温度-55℃~+150℃
栅极电压(Vgs)±25V
分类场效应管(MOSFET)
库存7,299
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)1.5W
栅极电荷量(Qg)13nC@5V
类型N沟道

SI7326DN-T1-GE3概述

场效应管(MOSFET) 1.5W 30V 6.5A 1个N沟道

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