SI7309DN-T1-GE3
IC
PowerPAK1212-8
可供量大可议
SI7309DN-T1-GE3
场效应管(MOSFET) 3.2W； 19.8W 60V 8A 1个P沟道
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK1212-8
库存
17,375
货期
现货
SI7309DN-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK1212-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 600pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 17,375 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 19.8W |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
SI7309DN-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 3.2W； 19.8W 60V 8A 1个P沟道
SI7309DN-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI7309DN-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。