SI7309DN-T1-E3-HXY
IC
DFN3x3-8L
可供量大可议
SI7309DN-T1-E3-HXY
SI7309DN-T1-E3 是一款采用DFN3X3-8L封装工艺的P沟道MOSFET， 结构紧凑且性能强劲。 该器件支持高达60V的工作电压VDSS， 能有效处理15A连续电流， 适应多种高电压、中等电流应用环境。 特别值得关注的是其70mΩ的低导通电阻RD(on)， 有助于减少系统能量损耗并提升工作效率。 无论是用于电源转换、马达驱动还是其他要求严格的应用场合， SI7309DN-T1-E3 都将凭借出色电气性能及可靠品质， 成为您的理想半导体解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN3x3-8L
库存
225
货期
现货
SI7309DN-T1-E3-HXY参数
| 封装 | DFN3x3-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 225 |
SI7309DN-T1-E3-HXY概述
SI7309DN-T1-E3 是一款采用DFN3X3-8L封装工艺的P沟道MOSFET， 结构紧凑且性能强劲。 该器件支持高达60V的工作电压VDSS， 能有效处理15A连续电流， 适应多种高电压、中等电流应用环境。 特别值得关注的是其70mΩ的低导通电阻RD(on)， 有助于减少系统能量损耗并提升工作效率。 无论是用于电源转换、马达驱动还是其他要求严格的应用场合， SI7309DN-T1-E3 都将凭借出色电气性能及可靠品质， 成为您的理想半导体解决方案。
SI7309DN-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SI7309DN-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。