SI7288DP-T1-GE3(TOKMAS)
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
SI7288DP-T1-GE3(TOKMAS)
这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。 这种先进技术经过专门设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用。
品牌
Tokmas
封装
DFN-8(5x6)
库存
250
货期
现货
SI7288DP-T1-GE3(TOKMAS)参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Tokmas(托克马斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 250 |
SI7288DP-T1-GE3(TOKMAS)概述
这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。 这种先进技术经过专门设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用。
SI7288DP-T1-GE3(TOKMAS)特性
暂无产品特性。
SI7288DP-T1-GE3(TOKMAS)应用领域
暂无应用领域。