SI7223DN-T1-GE3
IC
PowerPAK1212-8
可供量大可议
SI7223DN-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen III p 沟道功率 MOSFET。 封装占位面积比 SO-8 小 62%。 热增强型 PowerPAK 封装。 100% Rg 和 UIS 测试。 应用：负载开关。 电池保护
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK1212-8
库存
5
货期
现货
SI7223DN-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK1212-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
SI7223DN-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen III p 沟道功率 MOSFET。 封装占位面积比 SO-8 小 62%。 热增强型 PowerPAK 封装。 100% Rg 和 UIS 测试。 应用：负载开关。 电池保护
SI7223DN-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI7223DN-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。