SI7218DN-T1-E3-HXY
IC
DFN3x3-8L
可供量大可议
SI7218DN-T1-E3-HXY
SI7218DN-T1-E3 是一款采用了创新DFN3X3-8L封装技术的高性能N+N沟道MOS管。 凭借其30V的漏源电压VDSS和强大的20A连续电流ID能力， 能在低压高电流条件下稳定运作。 特别值得关注的是其极低的导通电阻RD(on)仅有19mR， 极大程度降低了系统损耗， 提升了能效表现。 此款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、快速充电设备等高效率电源管理方案， 是现代电子产品设计的理想之选。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN3x3-8L
库存
197
货期
现货
SI7218DN-T1-E3-HXY参数
| 封装 | DFN3x3-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 197 |
SI7218DN-T1-E3-HXY概述
SI7218DN-T1-E3 是一款采用了创新DFN3X3-8L封装技术的高性能N+N沟道MOS管。 凭借其30V的漏源电压VDSS和强大的20A连续电流ID能力， 能在低压高电流条件下稳定运作。 特别值得关注的是其极低的导通电阻RD(on)仅有19mR， 极大程度降低了系统损耗， 提升了能效表现。 此款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、快速充电设备等高效率电源管理方案， 是现代电子产品设计的理想之选。
SI7218DN-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SI7218DN-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。