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SI7216DN-T1-E3-HXY
IC

DFN3x3-8L

可供量大可议

SI7216DN-T1-E3-HXY

SI7216DN-T1-E3 型号MOS管是一款高效率N+N沟道半导体器件, 采用紧凑型DFN3X3-8L封装, 尤其适合于空间有限的现代电子设计。 器件具备40V的额定电压VDSS和高达20A的连续电流ID, 充分展现了强大的电力处理性能。 其17mR的超低导通电阻, 进一步优化系统效率, 减少能耗。 该MOS管广泛应用于电源转换、马达驱动、电池管理系统等领域, 出厂前经过严格质量检验, 确保在各种严苛条件下仍能保持卓越稳定的表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN3x3-8L

库存

169

货期

现货

SI7216DN-T1-E3-HXY参数

封装DFN3x3-8L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存169

SI7216DN-T1-E3-HXY概述

SI7216DN-T1-E3 型号MOS管是一款高效率N+N沟道半导体器件, 采用紧凑型DFN3X3-8L封装, 尤其适合于空间有限的现代电子设计。 器件具备40V的额定电压VDSS和高达20A的连续电流ID, 充分展现了强大的电力处理性能。 其17mR的超低导通电阻, 进一步优化系统效率, 减少能耗。 该MOS管广泛应用于电源转换、马达驱动、电池管理系统等领域, 出厂前经过严格质量检验, 确保在各种严苛条件下仍能保持卓越稳定的表现。

SI7216DN-T1-E3-HXY特性

暂无产品特性。

SI7216DN-T1-E3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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