SI7216DN-T1-E3-HXY
IC
DFN3x3-8L
可供量大可议
SI7216DN-T1-E3-HXY
SI7216DN-T1-E3 型号MOS管是一款高效率N+N沟道半导体器件, 采用紧凑型DFN3X3-8L封装, 尤其适合于空间有限的现代电子设计。 器件具备40V的额定电压VDSS和高达20A的连续电流ID, 充分展现了强大的电力处理性能。 其17mR的超低导通电阻, 进一步优化系统效率, 减少能耗。 该MOS管广泛应用于电源转换、马达驱动、电池管理系统等领域, 出厂前经过严格质量检验, 确保在各种严苛条件下仍能保持卓越稳定的表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN3x3-8L
库存
169
货期
现货
SI7216DN-T1-E3-HXY参数
| 封装 | DFN3x3-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 169 |
SI7216DN-T1-E3-HXY概述
SI7216DN-T1-E3 型号MOS管是一款高效率N+N沟道半导体器件, 采用紧凑型DFN3X3-8L封装, 尤其适合于空间有限的现代电子设计。 器件具备40V的额定电压VDSS和高达20A的连续电流ID, 充分展现了强大的电力处理性能。 其17mR的超低导通电阻, 进一步优化系统效率, 减少能耗。 该MOS管广泛应用于电源转换、马达驱动、电池管理系统等领域, 出厂前经过严格质量检验, 确保在各种严苛条件下仍能保持卓越稳定的表现。
SI7216DN-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SI7216DN-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。
