SI7172DP-T1-GE3-VB
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SI7172DP-T1-GE3-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款高性能的单N沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于电源模块、LED照明模块和汽车电子模块等领域。 DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 200V； 30A； RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
DFN-8L(5x6)
库存
17
货期
现货
SI7172DP-T1-GE3-VB参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 17 |
SI7172DP-T1-GE3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款高性能的单N沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于电源模块、LED照明模块和汽车电子模块等领域。 DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 200V； 30A； RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
SI7172DP-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SI7172DP-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。