SI7164DP-T1-GE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为5.3毫欧， 最大栅源电压（VGS）为20V。 器件在高电流工作条件下展现出较低的导通损耗和良好的热性能， 适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统及高频开关电路等应用。 其低导通电阻有助于提升整体能效， 同时支持标准逻辑电平驱动， 便于在多种电子系统中实现高效可靠的功率控制。