SI7153DN-T1-GE3-HXY

该P沟道场效应管（MOSFET）最大漏极电流为55A， 漏源击穿电压30V， 导通电阻仅8毫欧。 低导通损耗特性使其在低压大电流场景中表现优异， 适用于电池保护、负载开关及电源管理模块。 其紧凑设计利于优化电路板布局， 满足消费电子与便携设备对高效能功率器件的需求， 确保系统在动态负载下稳定运行。